自蔓延釬焊薄膜及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111163160.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113894460A | 公開(公告)日 | 2022-01-07 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113894460A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-07 |
分類號(hào) | B23K35/24(2006.01)I;B23K35/40(2006.01)I;C23C28/02(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分類 | 機(jī)床;不包含在其他類目中的金屬加工; |
發(fā)明人 | 何錦華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇誠(chéng)睿達(dá)光電有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李明;趙吉陽 |
地址 | 211103江蘇省南京市江寧區(qū)秣陵街道醴泉路69號(hào)5棟 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提出一種自蔓延釬焊薄膜及其制備方法,焊料層包括依次堆疊的第一釬料層、自蔓延多層膜、第二釬料層,經(jīng)自蔓延多層膜的反應(yīng)將芯片與基板焊接在一起,其中,第一釬料層和/或第二釬料層的熔點(diǎn)低于自蔓延多層膜的瞬時(shí)反應(yīng)最高溫度。從而有效避免了焊接過程中工藝溫度和工藝時(shí)間帶來的器件損傷,為第三代半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域提供了一種低成本、高熔點(diǎn)的無鉛焊料,是高溫、功率及大面積電子互連的有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。 |
