一種半導體TSV結構的制造工藝方法及半導體TSV結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910485230.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110277348A 公開（公告）日 2019-09-24
申請公布號 CN110277348A 申請公布日 2019-09-24
分類號 H01L21/768;H01L23/538 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李航;孫晨;于連忠 申請（專利權）人 浙江芯動科技有限公司
代理機構 北京眾達德權知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 浙江芯動科技有限公司
地址 314000 浙江省嘉興市南湖區(qū)亞中路551號2號樓1層101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體制造工藝技術領域，尤其涉及一種半導體TSV結構的制造工藝方法及其半導體TSV結構，該方法包括：在硅片正面刻蝕正面環(huán)狀間隙，所述正面環(huán)狀間隙包括內(nèi)壁、外壁，所述外壁或所述內(nèi)壁包括一個以上的由上至下向相對側壁的方向凸起的結構，所述環(huán)狀間隙包圍的硅片部分作為導電結構；在所述正面環(huán)狀間隙的內(nèi)壁和外壁生長絕緣層，由于利用刻蝕大間隙的槽的刻蝕深度來刻蝕形成帶凸起結構的環(huán)狀間隙，不僅可以降低單獨刻蝕小間隙槽中深度比限制的難度，而且可以利用形成的小間隙槽來減小深孔填充的難度，在提高刻蝕效率的同時也提高了填充效率，進而提高半導體TSV結構的加工效率。