平面高壓串聯(lián)LED集成芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510108532.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN104701307B 公開（公告）日 2018-09-04
申請公布號(hào) CN104701307B 申請公布日 2018-09-04
分類號(hào) H01L25/075;H01L33/00;H01L33/62;H01L33/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳俊緯 申請（專利權(quán)）人 廣州南科集成電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 510663 廣東省廣州市廣州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)城天豐路6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種平面高壓串聯(lián)LED集成芯片及其制造方法。芯片包括帶有藍(lán)寶石襯底、緩沖層、N型外延層、量子阱發(fā)光層、P型外延層、透光導(dǎo)電層的外延片，外延片上形成若干個(gè)串聯(lián)LED器件，各LED器件四周外延片設(shè)階梯孔，階梯孔第一階梯深入到N型外延層內(nèi)、第二階梯深入到藍(lán)寶石襯底上表面形成隔離槽，各LED器件于透光導(dǎo)電層上均設(shè)P型內(nèi)電極，階梯孔及透光導(dǎo)電層覆蓋氮化硅層，氮化硅層上覆蓋旋涂玻璃層填平階梯孔，旋涂玻璃層上設(shè)將各LED器件P+、N?電極串聯(lián)連接的金屬連接層及陰、陽極接點(diǎn)，藍(lán)寶石襯底背面設(shè)背金層。方法包括形成外延片、P型內(nèi)電極、階梯孔、氮化硅層、旋涂玻璃層、電極、連接層及接點(diǎn)、背金層的步驟。本發(fā)明可應(yīng)用于LED芯片領(lǐng)域。