一種半導(dǎo)體功率模塊及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010097857.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111276403B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN111276403B 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L21/48（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張正 申請（專利權(quán)）人 中山市木林森微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路勝元知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 路兆強(qiáng)
地址 528415廣東省中山市小欖鎮(zhèn)木林森大道1號6幢1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體功率模塊及其制備方法，該方法包括以下步驟：將半導(dǎo)體功率芯片臨時(shí)固定在第一臨時(shí)承載基板上，在所述半導(dǎo)體功率芯片的第二表面形成一凹陷腔體，所述凹陷腔體在垂直方向上與所述功能核心區(qū)域相重疊，在所述半導(dǎo)體功率芯片的所述第二表面上沉積導(dǎo)熱絕緣層，在所述凹陷腔體中設(shè)置導(dǎo)熱硅膠層；接著將散熱器設(shè)置于所述半導(dǎo)體功率芯片的所述第二表面上，使得多個(gè)凸起嵌入到所述導(dǎo)熱硅膠層中，接著在散熱器上固定粘結(jié)第二臨時(shí)承載基板，并去除所述第一臨時(shí)承載基板，將所述半導(dǎo)體功率芯片倒裝安裝在電路布線圖案上，接著去除所述第二臨時(shí)承載基板，接著在所述散熱基底上形成模塑層。