一種多基島引線框架芯片封裝結(jié)構(gòu)及電源模組驅(qū)動(dòng)電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202121528340.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN214898436U | 公開(公告)日 | 2021-11-26 |
申請公布號(hào) | CN214898436U | 申請公布日 | 2021-11-26 |
分類號(hào) | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 顧桂嶂;劉春平;袁添煥 | 申請(專利權(quán))人 | 中山市木林森微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 中山市捷凱專利商標(biāo)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 楊連華 |
地址 | 528400廣東省中山市小欖鎮(zhèn)木林森大道1號(hào)6幢1樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種多基島引線框架芯片封裝結(jié)構(gòu)及電源模組驅(qū)動(dòng)電路,包括相互之間電氣隔離的第一基島、第二基島以及第三基島,將MOS管、電源驅(qū)動(dòng)主控芯片和二極管分別置于各基島上,既符合實(shí)際使用需求又解決了基島空間空置浪費(fèi)問題;同時(shí)承載MOS管的第一基島的面積大于所述第二基島和第三基島的面積,提高了發(fā)熱量大的MOS管對外部環(huán)境的散熱性能,在內(nèi)置MOS管、芯片和二極管后,仍能保證有效的散熱;芯片集成度更高,且可使封裝外圍的電路進(jìn)一步簡化,進(jìn)而降低轉(zhuǎn)換裝置的成本,采用小體積封裝節(jié)省封裝材料成本更低,提高生產(chǎn)效率,適用于小功率電源驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品及對電源板體積和成本有較高要求的LED照明產(chǎn)品及電路中。 |
