一種冷卻可控的碳化硅單晶生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122399065.6 申請日 -
公開（公告）號 CN215713525U 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN215713525U 申請公布日 2022-02-01
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B35/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉慧強;周立平;魏汝省;張繼光;王琪;李明;靳霄曦;張馨丹 申請（專利權(quán)）人 山西爍科晶體有限公司
代理機構(gòu) 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 崔雪花;冷錦超
地址 030006山西省太原市綜改示范區(qū)太原唐槐園區(qū)唐槐路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種冷卻可控的碳化硅單晶生長裝置，屬于碳化硅晶體技術(shù)領(lǐng)域；包括晶體生長室，晶體生長室設(shè)置有冷卻風(fēng)箱，冷卻風(fēng)箱的送風(fēng)風(fēng)腔通過送風(fēng)管道連接有風(fēng)冷控制裝置，冷卻風(fēng)箱的出風(fēng)口通過排風(fēng)管道與風(fēng)冷控制裝置的進(jìn)風(fēng)口相連接；風(fēng)冷控制裝置包括熱交換器，熱交換器連接有水冷循環(huán)裝置；熱交換器的氣體管路上連接有過濾器；風(fēng)冷控制裝置的進(jìn)風(fēng)口連接有風(fēng)機；本實用新型通過對送回風(fēng)溫度和流量控制，實現(xiàn)對生長熱場的有效溫度調(diào)節(jié)，利于工藝調(diào)整，提高了對冷卻效果的控制能力和對工藝過程的配合能力。