碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測(cè)定方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110917059.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113601376A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113601376A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-05 |
| 分類號(hào) | B24B29/02（2006.01）I;B24B49/00（2012.01）I | 分類 | 磨削；拋光; |
| 發(fā)明人 | 趙麗霞;楊牧軒;李斌;李鵬;原帥武;牛玉龍;張峰;靳霄曦 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山西爍科晶體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 崔雪花;冷錦超 |
| 地址 | 030006山西省太原市綜改示范區(qū)太原唐槐園區(qū)唐槐路5號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測(cè)定方法；具體是先對(duì)待測(cè)定拋光片的碳面和硅面分別進(jìn)行邊緣倒角處理；分別測(cè)量硅面和碳面的倒角邊緣，得到硅面和碳面的面幅長(zhǎng)度及角度參數(shù)，之后分別對(duì)硅面和碳面進(jìn)行拋光，記錄拋光時(shí)長(zhǎng)，再次測(cè)量硅面和碳面的面幅長(zhǎng)度；并計(jì)算硅面和碳面的厚度減少量；通過(guò)厚度減少量計(jì)算硅面和碳面的拋光速率；本發(fā)明可以分別監(jiān)控硅面及碳面的拋光速率，精確度高，拋光片表面的損傷減小，不增加任何成本和工序，成本低，簡(jiǎn)單方便，適用于批量生產(chǎn)。 |
