一種半導體級硅粉的純化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111337818.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113772675A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113772675A 申請公布日 2021-12-10
分類號 C01B33/037（2006.01）I 分類 無機化學;
發(fā)明人 張辰宇;趙麗霞;魏汝省;馬康夫;方芃博;陳琪;李剛;許正;靳霄曦;張馨丹 申請（專利權(quán)）人 山西爍科晶體有限公司
代理機構(gòu) 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 崔雪花;冷錦超
地址 030006山西省太原市綜改示范區(qū)太原唐槐園區(qū)唐槐路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體級硅粉的純化方法，屬于半導體材料加工技術(shù)領(lǐng)域；該方法是先將待純化的硅粉置于感應(yīng)加熱爐內(nèi)，在真空狀態(tài)下升溫至1000?1300℃；真空度為4.5?5.5×102mbar；之后在爐腔中注入高純H至700?900mbar；隨后再抽真空至原始真空度；將氯化氫與氬氣以流量比7?9:1.5?2.5通入腔體內(nèi)，通氣至壓力為700?900 mbar，保持4?6 h，之后將爐體內(nèi)壓力降至＜10 mbar；本發(fā)明有效提高硅粉的純度，純化后的硅粉滿足生產(chǎn)高純碳化硅粉料的純度要求；同時也降低了整個純化過程的危險性。