一種優(yōu)化碳化硅晶片電阻率的輻照方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110867806.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113668064A 公開（公告）日 2021-11-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113668064A 申請(qǐng)公布日 2021-11-19
分類號(hào) C30B33/04（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉曉星;魏汝省;趙麗霞;張峰;李鵬;范云;靳霄曦;牛玉龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西爍科晶體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 崔雪花;冷錦超
地址 030006山西省太原市綜改示范區(qū)太原唐槐園區(qū)唐槐路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，是一種優(yōu)化碳化硅晶片電阻率的輻照方法；步驟包括：采用電子加速器對(duì)晶片進(jìn)行輻照；先水平輻照晶片的小面區(qū)域；之后將晶片順時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°，以晶片中軸線為界依次輻照中軸線一側(cè)沒(méi)有小面區(qū)域的區(qū)域和中軸線另一側(cè)存在小面區(qū)域的區(qū)域；同時(shí)限定了電子加速器的輸出功率、直流高壓、電流、電子束流強(qiáng)度，以及輻照長(zhǎng)度寬度、電子束出束口與輻照晶片的距離、輻照時(shí)間；本發(fā)明補(bǔ)償了淺能級(jí)的非故意雜質(zhì)缺陷，有效提升晶片的電阻率及晶片內(nèi)與晶片間的電阻均勻性。