一種半導(dǎo)體級石墨粉的純化方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111311118.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113735110A | 公開(公告)日 | 2021-12-03 |
申請公布號 | CN113735110A | 申請公布日 | 2021-12-03 |
分類號 | C01B32/215(2017.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 許正;趙麗霞;魏汝省;馬康夫;方芃博;陳琪;李剛;張辰宇;靳霄曦;張馨丹 | 申請(專利權(quán))人 | 山西爍科晶體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 崔雪花;冷錦超 |
地址 | 030006山西省太原市綜改示范區(qū)太原唐槐園區(qū)唐槐路5號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體級石墨粉的純化方法,屬于半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域;該方法是將待純化的石墨粉置于感應(yīng)加熱爐內(nèi),在1800?2200℃的條件下將感應(yīng)加熱爐腔體抽氣至真空狀態(tài),隨后將氯化氫與氬氣的混合氣體通入腔體,通氣至壓力為700?900 mbar,維持2?4 h,使腔體內(nèi)氯化氫氣體與雜質(zhì)充分反應(yīng),隨后抽氣將爐體壓力降低至近真空狀態(tài);本發(fā)明解決了石墨粉中高沸點(diǎn)的金屬單質(zhì)及金屬化合物雜質(zhì)去除率較低的問題;降低了整個(gè)純化過程的危險(xiǎn)性。 |
