一種用于檢測共晶鍵合中合金化程度的結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410148635.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103928364B 公開（公告）日 2016-09-28
申請公布號 CN103928364B 申請公布日 2016-09-28
分類號 H01L21/66(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 焦斌斌;曾立天 申請（專利權）人 江蘇艾特曼電子科技有限公司
代理機構 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 代理人 邵驊
地址 214135 江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道200號國際創(chuàng)新園C2樓三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了一種用于檢測共晶鍵合中合金化程度的結構，其特征在于：所述結構包括在共晶鍵合襯底上與鍵合層相連的測試電極，所述測試電極設置在鍵合層與鍵合襯底之間，覆蓋鍵合層區(qū)域，所述測試電極上引出引線焊盤。本發(fā)明提供的用于檢測鍵合中合金化程度的結構與方法，通過在鍵合環(huán)上直接制作電極與測試結構，可以單獨測試晶圓上任何區(qū)域的合金情況，對工藝均勻性進行評估；本發(fā)明不受襯底材質的影響，可以在任何襯底或襯底上表面材料情況下進行合金化分析；本發(fā)明電極電阻的測試接法采用四探針法和阻值對比法，可以準確的測量出鍵合環(huán)電導率，精度與分辨率都遠高于現(xiàn)有技術。