一種高取向性二硒化鎢納米線的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210374547.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102849692A | 公開(公告)日 | 2014-08-13 |
申請公布號 | CN102849692A | 申請公布日 | 2014-08-13 |
分類號 | C01B19/04;B82Y30/00 | 分類 | 無機化學; |
發(fā)明人 | 李京波;孟秀清;李慶躍;李凱;汪林望;池旭明 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江東晶光電科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 金華科源專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 黃飛 |
地址 | 321016浙江省金華市秋濱街道花溪路218號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種二硒化鎢納米線的制備方法,特別是高取向性二硒化鎢(WSe2)納米線的制備方法,具體是采用兩步反應法,首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2為反應溶質(zhì),以CTAB為絡(luò)合劑,純度為18兆歐以上的去離子水做反應溶劑,采用水熱方法制備出WO2納米線通過水熱方法制備出了WO2納米線,然后再將這種納米線用純度為99.9%以上的高純硒硒化,獲得了高取向性的二硒化鎢納米線。本發(fā)明是一種簡單環(huán)保的方法,反應過程中采用WO2納米線作為鎢源,采用純度為99.9%以上的高純Se硒化,既縮短了反應時間、又避免了H2S、H2等危險性大的氣體的使用,大大降低了反應成本、簡化了反應設(shè)備。 |
