一種二硫化鎢微米結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210371179.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102897841A 公開（公告）日 2013-01-30
申請公布號 CN102897841A 申請公布日 2013-01-30
分類號 C01G41/00(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 李京波;孟秀清;李慶躍;李凱;池旭明;夏建白 申請（專利權(quán)）人 浙江東晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 金華科源專利事務(wù)所有限公司 代理人 黃飛
地址 321016 浙江省金華市秋濱街道花溪路218號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體微米材料制造類，具體涉及到一種二硫化鎢微米結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：采用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法，以硫脲和六氯化鎢（WCl6）為反應(yīng)源，在750-950℃真空狀態(tài)下反應(yīng)而得到。本發(fā)明通過將硫脲和?WCl6?分別放在反應(yīng)系統(tǒng)的恒溫區(qū)和低溫區(qū)，使WC?l6反應(yīng)溫度保持在750-950℃，WCl6與硫脲的溫差保持在50-150℃，利用二者的溫差使其在特定溫度下同時達(dá)到飽和蒸汽壓，產(chǎn)生蒸汽，進(jìn)行反應(yīng)。本發(fā)明不僅具有簡單易行、環(huán)保無毒，還具有產(chǎn)物尺寸均勻的特點(diǎn)，特別是以無毒的硫脲作為S源，既降低了生產(chǎn)成本又減少了H2S等S源的毒性，是一種既經(jīng)濟(jì)實惠又環(huán)保的制備方法。