一種集成電路晶圓正面處理工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110433196.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113140468A | 公開(公告)日 | 2021-07-20 |
申請公布號 | CN113140468A | 申請公布日 | 2021-07-20 |
分類號 | H01L21/48(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 肖廣源;羅紅軍 | 申請(專利權(quán))人 | 上海華友金裕微電子有限公司 |
代理機構(gòu) | 常州市科誼專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 孫彬 |
地址 | 201700上海市青浦區(qū)盈港東路6666號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種集成電路晶圓正面處理工藝,本發(fā)明的有益效果:本處理工藝通過在晶圓基面的表面覆鋅,方便將鑷與金覆在晶圓上;鈀比較穩(wěn)定,鎳和金都容易發(fā)生離子遷移,鎳層上覆鈀,可以把鎳層和金層隔開,防止金和鎳之間的相互遷移,不會出現(xiàn)黑鎳現(xiàn)象。 |
