一種高壓LDMOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310049146.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103094350B 公開（公告）日 2016-03-23
申請公布號 CN103094350B 申請公布日 2016-03-23
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭宇鋒;徐光明;花婷婷;黃示;張長春;夏曉娟 申請（專利權(quán)）人 南京郵電大學(xué)資產(chǎn)經(jīng)營有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 代理人 南京郵電大學(xué);南京郵電大學(xué)南通研究院有限公司
地址 210003 江蘇省南京市鼓樓區(qū)新模范馬路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種高壓LDMOS器件，所述器件通過在每個降場層靠近源區(qū)引入一個與降場層相連或重合的相同導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重摻雜區(qū)；這樣就能夠在漂移區(qū)中部產(chǎn)生一個高的電場峰值，降低了主結(jié)處高的電場峰值，優(yōu)化了漂移區(qū)的表面電場分布，從而能夠提高器件的反向擊穿電壓；還能夠提高常規(guī)降場層結(jié)構(gòu)的LDMOS器件降場層的摻雜濃度，從而提高了器件的最優(yōu)漂移區(qū)濃度，即能夠降低器件的正向?qū)娮?。本發(fā)明引入的半導(dǎo)體重摻雜區(qū)與相同導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體接觸區(qū)在工藝制備上同時完成，無需增加掩膜板和附加的工藝步驟，工藝簡單，成本低廉。