一種維持反應(yīng)腔良性環(huán)境的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911296753.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110970285B 公開（公告）日 2022-02-22
申請公布號 CN110970285B 申請公布日 2022-02-22
分類號 H01J37/32（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳華龍;趙維;何晨光;張康;賀龍飛;廖乾光;劉云洲;陳志濤 申請（專利權(quán)）人 廣東省科學院半導體研究所
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 楊勛
地址 510000廣東省廣州市天河區(qū)長興路363號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種維持反應(yīng)腔良性環(huán)境的方法，涉及外延生長的技術(shù)領(lǐng)域。維持反應(yīng)腔良性環(huán)境的方法包括：將完成AlN膜外延生長的生長設(shè)備的反應(yīng)腔加熱到預(yù)設(shè)溫度；向所述反應(yīng)腔通入清潔氣體，清除所述反應(yīng)腔內(nèi)的雜質(zhì)顆粒；將所述反應(yīng)腔保持在所述預(yù)設(shè)溫度，并通入NH3和鎵源、且維持預(yù)設(shè)時長，以在所述反應(yīng)腔的內(nèi)壁上沉積GaN覆蓋層；清掃所述反應(yīng)腔的內(nèi)壁。維持反應(yīng)腔良性環(huán)境的方法能夠保證AlN的結(jié)晶質(zhì)量，提高AlN外延制備的效率。