LED芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010031515.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111200046B 公開(kāi)（公告）日 2022-06-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN111200046B 申請(qǐng)公布日 2022-06-03
分類號(hào) H01L33/46（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李祈昕;劉寧煬;陳志濤;李葉林;曾昭燴;任遠(yuǎn);曾巧玉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 510000廣東省廣州市天河區(qū)長(zhǎng)興路363號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種LED芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明實(shí)施例的LED芯片結(jié)構(gòu)的制作方法包括在金屬阻擋層制作前，對(duì)金屬反射鏡的表面進(jìn)行平滑化處理，再沉積制作金屬阻擋層。然后，對(duì)金屬反射鏡和金屬阻擋層的組合結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理。通過(guò)此制作方法，在保證反射鏡良好性能的前提下，提高阻擋層金屬的沉積質(zhì)量，減小金屬阻擋層的應(yīng)力作用，并顯著簡(jiǎn)化工藝調(diào)整過(guò)程，增強(qiáng)工藝的可移植性和兼容性，提升了LED芯片結(jié)構(gòu)的可靠性。本發(fā)明實(shí)施例提供的LED芯片結(jié)構(gòu)通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例的制作方法制得，其金屬阻擋層和金屬反射鏡的結(jié)合性好，因此具有較高的可靠性。