非易失性存儲(chǔ)器裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011102793.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114373766A 公開（公告）日 2022-04-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN114373766A 申請(qǐng)公布日 2022-04-19
分類號(hào) H01L27/11536（2017.01）I;H01L27/11548（2017.01）I;H01L27/11558（2017.01）I;G11C16/24（2006.01）I;G11C16/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 寧丹;王明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都銳成芯微科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 610041四川省成都市高新區(qū)天府五街200號(hào)1號(hào)樓A座4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有深N阱的電可擦除可編程的非易失性存儲(chǔ)單元及其存儲(chǔ)器裝置，深N阱可將存儲(chǔ)單元與襯底隔離開。該非易失性存儲(chǔ)器裝置適用于3.3v或更高電壓的芯片電路。它包含至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元，被構(gòu)建在一個(gè)P型襯底上，其中每個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元包含：一個(gè)深N阱，位于P型襯底中，而且一個(gè)N阱和一個(gè)P阱位于深N阱中；一個(gè)PMOS晶體管位于N阱中，其中該P(yáng)MOS晶體管包含PMOS柵氧化物；一個(gè)NMOS電容位于P阱中，其中該NMOS電容包含NMOS柵氧化物和位于P阱中的N+耦合區(qū)；和一個(gè)浮柵，該浮柵覆在PMOS晶體管和NMOS電容上；其中PMOS晶體管的柵氧化物位于PMOS晶體管與浮柵之間，NMOS柵氧化物位于NMOS電容與浮柵之間，PMOS晶體管的柵氧化物和NMOS柵氧化物的厚度相同或不同。