摻鎵直拉單晶硅的生長(zhǎng)方法、摻鎵單晶硅及應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110017582.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112831828A | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112831828A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | C30B15/04;C30B29/06;H01L31/0288;H01L31/18 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 陳鵬;李曉強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 杭州晶寶新能源科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 覃蛟 |
| 地址 | 310000 浙江省杭州市西湖區(qū)文三路199號(hào)創(chuàng)業(yè)大廈1105室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了摻鎵直拉單晶硅的生長(zhǎng)方法、摻鎵單晶硅及應(yīng)用，涉及單晶硅技術(shù)領(lǐng)域。該生長(zhǎng)方法通過(guò)將多晶硅原料和鎵摻雜劑加熱至硅熔體后，利用切氏直拉單晶法生長(zhǎng)硅晶體，在硅晶體的生長(zhǎng)階段通入氣態(tài)的磷摻雜劑或砷摻雜劑作為施主摻雜劑。發(fā)明人創(chuàng)造性地引入氣態(tài)的施主摻雜劑，能夠?qū)⒛瘫蕊@著增加，在相同質(zhì)量的硅熔體中可以生長(zhǎng)出更大質(zhì)量的硅晶體，從而較明顯地提就高了晶體的生產(chǎn)效率。由上述方法制備得到的摻鎵單晶硅電阻率分布更窄，制備成本低，可以在太陽(yáng)電池中得到應(yīng)用。 |
