摻鎵直拉單晶硅的生長方法、摻鎵單晶硅及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110017582.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112831828A 公開（公告）日 2021-05-25
申請公布號 CN112831828A 申請公布日 2021-05-25
分類號 C30B15/04;C30B29/06;H01L31/0288;H01L31/18 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳鵬;李曉強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 杭州晶寶新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 覃蛟
地址 310000 浙江省杭州市西湖區(qū)文三路199號創(chuàng)業(yè)大廈1105室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了摻鎵直拉單晶硅的生長方法、摻鎵單晶硅及應(yīng)用，涉及單晶硅技術(shù)領(lǐng)域。該生長方法通過將多晶硅原料和鎵摻雜劑加熱至硅熔體后，利用切氏直拉單晶法生長硅晶體，在硅晶體的生長階段通入氣態(tài)的磷摻雜劑或砷摻雜劑作為施主摻雜劑。發(fā)明人創(chuàng)造性地引入氣態(tài)的施主摻雜劑，能夠?qū)⒛瘫蕊@著增加，在相同質(zhì)量的硅熔體中可以生長出更大質(zhì)量的硅晶體，從而較明顯地提就高了晶體的生產(chǎn)效率。由上述方法制備得到的摻鎵單晶硅電阻率分布更窄，制備成本低，可以在太陽電池中得到應(yīng)用。