一種單晶硅的生長(zhǎng)方法及單晶硅
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110287392.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112680787B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112680787B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 陳鵬;李曉強(qiáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 杭州晶寶新能源科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 覃蛟 |
| 地址 | 310000 浙江省杭州市西湖區(qū)文三路199號(hào)創(chuàng)業(yè)大廈1105室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種單晶硅的生長(zhǎng)方法及單晶硅，涉及單晶硅技術(shù)領(lǐng)域。單晶硅的生長(zhǎng)方法，包括：將設(shè)定量的多晶硅原料和摻雜劑置于生長(zhǎng)容器中采用提拉法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，并在收尾階段末期繼續(xù)生長(zhǎng)一個(gè)待測(cè)晶體，通過(guò)測(cè)試待測(cè)晶體的電阻率計(jì)算在生長(zhǎng)容器的余料中摻雜劑的濃度，進(jìn)而根據(jù)余料中摻雜劑的濃度計(jì)算摻雜劑的補(bǔ)充量，以將摻雜劑的濃度補(bǔ)充至設(shè)定值進(jìn)行下一晶體的生長(zhǎng)。能夠更精確地測(cè)試余料中摻雜劑的濃度，達(dá)到精確控制下一晶體生長(zhǎng)前生長(zhǎng)容器中摻雜劑的濃度，使晶體的電阻率能夠更精確地進(jìn)行控制，一定程度上防止晶體電阻率偏離目標(biāo)值，提升產(chǎn)品合格率。 |
