MEMS加速度傳感器的隔離硅墻

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410331234.4 申請日 -
公開（公告）號 CN105242068B 公開（公告）日 2018-06-08
申請公布號 CN105242068B 申請公布日 2018-06-08
分類號 G01P15/125 分類 測量；測試;
發(fā)明人 戴忠偉 申請（專利權(quán)）人 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
地址 200030 上海市徐匯區(qū)樂山路33號1號樓305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MEMS加速度傳感器的隔離硅墻，其中MEMS單軸加速度傳感器的隔離硅墻位于該MEMS單軸加速度傳感器的硅蓋帽與硅基板鍵合形成的腔體的內(nèi)部且形成于硅基板上，該隔離硅墻的形狀為一矩形框，該隔離硅墻的墻體垂直于該硅基板，該隔離硅墻的內(nèi)側(cè)套設(shè)有該MEMS單軸加速度傳感器的檢測質(zhì)量塊，該檢測質(zhì)量塊的每個側(cè)面到該隔離硅墻的最接近的墻面的距離為2微米至3微米，該墻體在平行于該硅基板所在平面的方向上的寬度為9微米至13微米，該墻體高于該硅基板2微米至3微米。本發(fā)明彌補(bǔ)了在加工加速度傳感器的過程中可動敏感結(jié)構(gòu)容易被其它工序使用的腐蝕液腐蝕和受外力擠壓而變形的不足，起到了保護(hù)作用。