MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410300621.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN105277733B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-06-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105277733B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-08 |
| 分類號(hào) | G01P1/00;G01P15/00;B81B7/00 | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 戴忠偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海弼興律師事務(wù)所 | 代理人 | 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司 |
| 地址 | 200030 上海市徐匯區(qū)樂(lè)山路33號(hào)1號(hào)樓305室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結(jié)構(gòu)。所述硅蓋帽結(jié)構(gòu)包括一頂部、一與所述頂部相垂直的垂直支撐部，所述頂部與所述垂直支撐部構(gòu)成一用于容置MEMS元器件的半封閉腔體，在所述半封閉腔體的開(kāi)口端且在所述垂直支撐部的底面上設(shè)有一沿所述底面的周向向內(nèi)和向外延伸的擴(kuò)展接觸部，所述擴(kuò)展接觸部與所述垂直支撐部構(gòu)成一半工字形的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的硅蓋帽增大了硅蓋帽與金屬合金的接觸面積，從而增大了鍵合面積，進(jìn)一步增強(qiáng)了鍵合強(qiáng)度；對(duì)于硅蓋帽與金屬合金接觸部分，本發(fā)明采用了半工字的硅蓋帽垂直支撐腳結(jié)構(gòu)，提高了其機(jī)械強(qiáng)度，從而使本發(fā)明既能滿足機(jī)械強(qiáng)度的要求又能滿足鍵合強(qiáng)度要求。 |
