氮化鎵柵極級聯(lián)單元及其集成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010528527.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111430347B | 公開（公告）日 | 2020-07-17 |
| 申請公布號 | CN111430347B | 申請公布日 | 2020-07-17 |
| 分類號 | H01L27/06(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 蔣勝 | 申請（專利權(quán)）人 | 嘉興景焱智能裝備技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海霖睿專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 嘉興景焱智能裝備技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 314100浙江省嘉興市嘉善縣羅星街道歸谷二路33號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種氮化鎵柵極級聯(lián)單元，包括功率器件和耗盡型器件，所述功率器件的漏極作為功率器件單元的漏極，功率器件的源極與耗盡型器件的柵極連接，共同作為功率器件單元的源極，功率器件的柵極與耗盡型器件的源極連接，耗盡型器件的漏極作為功率器件單元的柵極，所述功率器件為氮化鎵功率器件。本發(fā)明還公開了集成氮化鎵柵極級聯(lián)單元的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過將耗盡型器件級聯(lián)至氮化鎵功率器件的柵極的方法，實(shí)現(xiàn)對氮化鎵功率器件的柵極保護(hù)，實(shí)現(xiàn)對傳統(tǒng)硅器件的直接替代。?? |
