氮化鎵柵極級(jí)聯(lián)單元及其集成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010528527.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111430347A 公開（公告）日 2020-07-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111430347A 申請(qǐng)公布日 2020-07-17
分類號(hào) H01L27/06 分類 -
發(fā)明人 蔣勝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 嘉興景焱智能裝備技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海霖睿專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 嘉興景焱智能裝備技術(shù)有限公司
地址 314100 浙江省嘉興市嘉善縣羅星街道歸谷二路33號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種氮化鎵柵極級(jí)聯(lián)單元，包括功率器件和耗盡型器件，所述功率器件的漏極作為功率器件單元的漏極，功率器件的源極與耗盡型器件的柵極連接，共同作為功率器件單元的源極，功率器件的柵極與耗盡型器件的源極連接，耗盡型器件的漏極作為功率器件單元的柵極，所述功率器件為氮化鎵功率器件。本發(fā)明還公開了集成氮化鎵柵極級(jí)聯(lián)單元的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過將耗盡型器件級(jí)聯(lián)至氮化鎵功率器件的柵極的方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)氮化鎵功率器件的柵極保護(hù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)硅器件的直接替代。