一種硅晶片的單面去PSG層及拋光的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610676926.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106206280B 公開（公告）日 2019-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN106206280B 申請(qǐng)公布日 2019-03-01
分類號(hào) H01L21/306;H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州聚晶科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州市指南針專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李先鋒
地址 215000 江蘇省蘇州市相城區(qū)太平街道聚金工業(yè)坊順樂(lè)路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅晶片的單面去PSG層及拋光的制備方法，該方法包括以下工藝流程：入料→單邊刻蝕→水洗→吹干→出料→上料→刻蝕→水洗→HF酸洗→水洗→下料。本發(fā)明硅晶片的單面去PSG層及拋光的制備方法中的單邊刻蝕工序的四甲基氫氧化銨可腐蝕硅晶片下表面的PSG層，使其表面粗糙度達(dá)到小于50nm，之后進(jìn)入HF酸洗工序，使硅晶片的整個(gè)表層的光潔度進(jìn)一步提高，利于硅晶片表層減少太陽(yáng)光線的散射，使硅晶片的光電轉(zhuǎn)換率達(dá)到14％左右。