一種低功耗靜電驅(qū)動(dòng)式RF MEMS開(kāi)關(guān)的制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910172128.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN109911845A | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-06-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109911845A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-06-21 |
分類(lèi)號(hào) | B81C1/00(2006.01)I; H01H59/00(2006.01)I | 分類(lèi) | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
發(fā)明人 | 錢(qián)娟; 王鵬飛; 陳泓宇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 無(wú)錫眾創(chuàng)未來(lái)科技應(yīng)用有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州市百拓共享專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 無(wú)錫眾創(chuàng)未來(lái)科技應(yīng)用有限公司 |
地址 | 214000 江蘇省無(wú)錫市錫山經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)芙蓉中三路99號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種低功耗靜電驅(qū)動(dòng)式RF MEMS開(kāi)關(guān)的制造方法,其采用濕法刻蝕、深反應(yīng)離子刻蝕、電鍍等工藝,優(yōu)化了現(xiàn)有靜電驅(qū)動(dòng)式RF MEMS開(kāi)關(guān)的制造工藝,制造出的RF MEMS開(kāi)關(guān)具有低功耗、高壽命的特點(diǎn),符合行業(yè)需求。 |
