一種MOS襯底的制作方法及MOS襯底結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910172156.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109860029A 公開（公告）日 2019-06-07
申請公布號 CN109860029A 申請公布日 2019-06-07
分類號 H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李莉; 王谷喬; 曾海軍 申請（專利權(quán)）人 無錫眾創(chuàng)未來科技應(yīng)用有限公司
代理機構(gòu) 廣州市百拓共享專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 無錫眾創(chuàng)未來科技應(yīng)用有限公司
地址 214000 江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)芙蓉中三路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MOS襯底的制作方法及MOS襯底結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的MOS襯底的制作方法，在制作非晶鍺層的過程中，采用多步成膜的方式，并在每步成膜后使用含磷化合物氣體通過CVD表面處理對非晶鍺薄膜進行磷離子注入，最終得到磷離子摻雜的非晶鍺層，形成溝道區(qū)后無需單獨對溝道區(qū)進行摻雜，有效簡化了制程，降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的MOS襯底結(jié)構(gòu)，溝道區(qū)在非晶鍺成膜時即完成磷離子注入，無需單獨進行溝道摻雜制程，制作簡單，生產(chǎn)成本低。