一種SiC襯底雙脈沖飛秒激光切片的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210238596.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114453770A 公開（公告）日 2022-05-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN114453770A 申請(qǐng)公布日 2022-05-10
分類號(hào) B23K26/38（2014.01）I;B23K26/402（2014.01）I;B23K26/064（2014.01）I;B23K26/067（2006.01）I 分類 機(jī)床；不包含在其他類目中的金屬加工;
發(fā)明人 王蓉;許彬杰;皮孝東;王明華;楊德仁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州裕陽聯(lián)合專利代理有限公司 代理人 -
地址 311200浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SiC襯底雙脈沖飛秒激光切片剝離方法，在低能量的飛秒激光雙脈沖切割之后，采用“快熱冷?剝離”法來產(chǎn)生足夠的內(nèi)應(yīng)力，進(jìn)一步破壞激光切割后的非晶結(jié)構(gòu)，降低所需的外部剝離的機(jī)械應(yīng)力的大小。本發(fā)明通過雙脈沖的激光切片手段，大大減小了激光切片過程中造成的損傷層厚度，避免了材料的大量浪費(fèi)；同時(shí)，利用“快熱冷”手段，大大降低了切片后剝離所需的外部拉力的大小，讓其可以被輕松剝離；本發(fā)明的方法材料損耗小，加工時(shí)間短，成本低，對(duì)環(huán)境的污染小。