一種制備半絕緣碳化硅單晶的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120944141.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214736217U 公開（公告）日 2021-11-16
申請公布號 CN214736217U 申請公布日 2021-11-16
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 皮孝東;徐所成;沈典宇;王云霞;程周鵬;楊德仁 申請（專利權(quán)）人 杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 杭州裕陽聯(lián)合專利代理有限公司 代理人 金方瑋
地址 311200 浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號信息港五期一號樓205-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種制備半絕緣碳化硅單晶的裝置，包括粉料制備模塊、單晶生長模塊與空氣隔離模塊，所述粉料制備模塊與所述單晶生長模塊并列設(shè)置，可將碳化硅粉料送入所述單晶生長模塊。本實用新型通過有充滿惰性氣體的空氣隔離模塊，將原料、坩堝及保溫材料一經(jīng)放入后就不再取出，完全與外界隔離，通過減少與外界的接觸次數(shù)來控制雜質(zhì)元素的含量；并且通過粉料制備模塊來制備高純碳化硅粉料，再通過空氣隔離模塊將制備得到的高純碳化硅粉料送入單晶生長模塊，從而進行碳化硅單晶的生長。