一種用于剝離晶片的激光加工方法、裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210315631.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114473188A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114473188A 申請公布日 2022-05-13
分類號 B23K26/08（2014.01）I;B23K26/402（2014.01）I;B23K26/53（2014.01）I;B23K26/70（2014.01）I 分類 機床；不包含在其他類目中的金屬加工;
發(fā)明人 潘勝漿;王明華 申請（專利權）人 杭州乾晶半導體有限公司
代理機構 杭州五洲普華專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 311200浙江省杭州市蕭山區(qū)建設三路733號信息港五期一號樓205-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及激光加工技術領域，公開了一種用于剝離晶片的激光加工方法、裝置，包括：提供碳化硅晶錠，將所述碳化硅晶錠按照預定轉(zhuǎn)速進行旋轉(zhuǎn)；在旋轉(zhuǎn)的過程中，按照預定速率沿著所述碳化硅晶錠的半徑方向?qū)λ鎏蓟杈уV內(nèi)部進行激光照射從而在所述碳化硅晶錠內(nèi)部的預定深度處形成改性層；本發(fā)明通過碳化硅晶錠做旋轉(zhuǎn)運動，激光掃描線運動，對碳化硅晶錠進行掃描形成改性層，激光改性的運動軌跡不再是晶體內(nèi)部往復的折線，減少了折線運動過程中電機加速減速所浪費的時間，提高加工效率，通過兩個激光頭分別對晶體內(nèi)部和邊緣分區(qū)域加工，實現(xiàn)了內(nèi)部和邊緣的改性層處于同一水平面上，從而保證了晶片片內(nèi)的厚度一致性。