一種碳化硅籽晶重復(fù)循環(huán)利用的方法、裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210377781.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114457425A 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號 CN114457425A 申請公布日 2022-05-10
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王明華;楊孝澤;朱鑫煌;蔣琳;張振遠(yuǎn);王恒;宣麗英 申請（專利權(quán)）人 杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州五洲普華專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 311200浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號信息港五期一號樓205-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種碳化硅籽晶重復(fù)循環(huán)利用的方法、裝置；包括提供碳化硅晶錠的穹頂部分，其中，所述穹頂部分具有穹頂弧面和相對的切割面，所述切割面的直徑大于在后續(xù)形成的碳化硅晶圓的直徑；將所述穹頂部分作為碳化硅籽晶，所述穹頂部分的穹頂弧面作為晶體生長面，為生長碳化硅單晶提供結(jié)構(gòu)模板，進(jìn)行碳化硅單晶生長。本發(fā)明對在傳統(tǒng)制作碳化硅晶圓的工藝路線中不形成產(chǎn)品的部分進(jìn)行了充分的利用，提高了源材料的利用率，降低了晶圓單片成本，有利于在大規(guī)模生產(chǎn)過程中降低碳化硅晶圓的成本。