一種保護(hù)碳化硅籽晶背封層的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210260433.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114622174A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114622174A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C14/35（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B35/00（2006.01）I | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 蔣琳;方忠煒;朱鑫煌;張振遠(yuǎn);王明華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州五洲普華專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 311200浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)信息港五期一號(hào)樓205-2 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種保護(hù)碳化硅籽晶背封層的方法，涉及碳化硅晶體制備的領(lǐng)域，通過(guò)在碳化膜表面形成一層致密保護(hù)層，從而在清洗晶片過(guò)程中有效保護(hù)背封層，清洗結(jié)束后，將碳化膜表面的保護(hù)層去除，再進(jìn)行后續(xù)晶體生長(zhǎng)。本發(fā)明提供的一種保護(hù)碳化硅籽晶背封層的方法，在有效清潔籽晶片的同時(shí)有效地保護(hù)了背封層的完整性，進(jìn)而有效提高了采用該碳化硅籽晶生長(zhǎng)的碳化硅晶體的生長(zhǎng)品質(zhì)。此外，本發(fā)明步驟簡(jiǎn)單，操作方便，對(duì)設(shè)備和技術(shù)人員沒(méi)有苛刻要求。 |
