一種生長(zhǎng)碳化硅單晶的坩堝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120915874.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214830783U 公開(kāi)（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN214830783U 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 皮孝東;徐所成;姚秋鵬;鐘紅生;王亞哲;羅昊;楊德仁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州裕陽(yáng)聯(lián)合專利代理有限公司 代理人 金方瑋
地址 311200 浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)信息港五期一號(hào)樓205-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種生長(zhǎng)碳化硅單晶的坩堝結(jié)構(gòu)，包括加熱坩堝與生長(zhǎng)坩堝，生長(zhǎng)坩堝底部均勻設(shè)置加熱石墨棒，由于是中頻感應(yīng)加熱，磁場(chǎng)從外到內(nèi)有衰減現(xiàn)象，將加熱坩堝對(duì)應(yīng)壁厚減少，并在碳化硅粉源中間加入加熱用石墨棒，中頻感應(yīng)加熱磁場(chǎng)能夠有效的透過(guò)加熱坩堝，使的加熱石墨棒在碳化硅粉源中起到加熱的作用，通過(guò)石墨棒在粉料中的加熱，使得整個(gè)生長(zhǎng)室內(nèi)的氣氛均勻，并在一定程度上能夠加快PVT法氣相傳輸?shù)乃俾?，提高碳化硅晶體生長(zhǎng)速度。同時(shí)也提高在生長(zhǎng)過(guò)程中氣體徑向與軸向運(yùn)輸速度，提高了SiC粉料的利用率，增加原料利用率，降低了原料成本,為企業(yè)帶來(lái)效益。