單芯片正交混合耦合器管芯和平衡式功率放大器模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610575796.2 申請日 -
公開（公告）號 CN106098677B 公開（公告）日 2018-05-01
申請公布號 CN106098677B 申請公布日 2018-05-01
分類號 H01L25/07;H01L23/488 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫江濤;王宇晨 申請（專利權）人 北京翰飛電子科技有限公司
代理機構 北京萬象新悅知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 黃鳳茹
地址 100101 北京市朝陽區(qū)大屯里317號金泉時代廣場3單元505室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了一種單芯片正交混合耦合器管芯和一種平衡式功率放大器模塊，單芯片正交混合耦合器管芯包括先進半導體加工工藝的集成無源器件IPD，IPD結構上至少包括襯底、襯底上至少疊有兩層金屬走線、金屬走線間的介質層和連接金屬的過孔；還包括一個或多個片上電感器和片上電容器；片上電感器和片上電容器均都置于同一顆IPD襯底上，無需表貼電感、表貼電容和額外器件裝配空間。平衡式功率放大器模塊包括輸入、輸出、驅動放大器、功率放大器和隔離電阻；所有器件均集成在同一模塊中；輸入和輸出均采用上述單芯片正交混合耦合器管芯。本發(fā)明具有尺寸緊湊、制造成本低、帶內損耗小的優(yōu)點。