單芯片正交3dB定向耦合器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810310542.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108631036A 公開（公告）日 2018-10-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN108631036A 申請(qǐng)公布日 2018-10-09
分類號(hào) H01P5/18;H03H7/01;H01F17/00;H01F27/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王宇晨;孫江濤;于敦山 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京翰飛電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京翰飛電子科技有限公司;北京大學(xué);王宇晨
地址 100101 北京市朝陽(yáng)區(qū)大屯里317號(hào)金泉時(shí)代廣場(chǎng)3單元505室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了一種單芯片正交3dB定向耦合器，采用單個(gè)芯片，包括管芯、襯底及金屬走線；芯片中包括至少六個(gè)無(wú)源器件；無(wú)源器件為電感器或電容器；無(wú)源器件中至少兩個(gè)為電感器；管芯上的兩個(gè)電感器的構(gòu)造分別由上層金屬走線和下層金屬走線平面繞線制成，分別稱為上層電感和下層電感；上層電感的上層金屬走線與下層電感的下層金屬走線重疊，兩個(gè)電感疊加產(chǎn)生互感；兩個(gè)電感之間有介質(zhì)層。管芯上的襯底材料為硅、碳化硅、藍(lán)寶石、Ⅲ?Ⅴ族化合物半導(dǎo)體或者其他摻雜半導(dǎo)體材料中一種或多種。金屬走線的材料為金、銅或其他金屬。本發(fā)明外形尺寸緊湊，集成度高；成本低廉；精度可控，一致性好。