一種耐高溫低熱膨脹系數(shù)的鋁基/PMOS基復(fù)合層狀材料的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201710149093.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107012346A | 公開(公告)日 | 2017-08-04 |
申請公布號 | CN107012346A | 申請公布日 | 2017-08-04 |
分類號 | C22C1/05(2006.01)I;C22C21/14(2006.01)I;C22C21/16(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I;C22C21/02(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;B22F7/04(2006.01)I;B22F3/04(2006.01)I;B22F3/20(2006.01)I | 分類 | 冶金;黑色或有色金屬合金;合金或有色金屬的處理; |
發(fā)明人 | 郭和謙 | 申請(專利權(quán))人 | 廣州農(nóng)村商業(yè)銀行股份有限公司海珠支行 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郭和謙;廣東鴻邦金屬鋁業(yè)有限公司 |
地址 | 523000 廣東省東莞市南城區(qū)元美路華凱廣場A1407 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種耐高溫低熱膨脹系數(shù)的鋁基/PMOS基復(fù)合層狀材料的制備方法,包括以下步驟:首先制得PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料,然后通過在Al?Cu?Mg?Si合金中加入Fe、Ni或Ag、Si3N4,制得鋁基復(fù)合材料,最后將制得的PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料、鋁基復(fù)合材料、PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料復(fù)合制得層狀材料,層與層之間采用粘合層材料粘結(jié)而成,制得的層狀材料在200?400℃熱處理,制得鋁基/PMOS基復(fù)合層狀材料。該發(fā)明制得的復(fù)合層狀材料力學(xué)性能好,強(qiáng)度大,耐高溫性能優(yōu)異,熱膨脹系數(shù)低。 |
