數(shù)據(jù)分析方法、裝置、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710725580.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109426655B 公開(kāi)（公告）日 2021-10-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN109426655B 申請(qǐng)公布日 2021-10-15
分類號(hào) G06F17/18（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 陳冠廷;馬厚文;朱暢 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥捷達(dá)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉永輝;徐麗
地址 230012安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)分析方法、裝置、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：對(duì)晶圓上多個(gè)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試，獲取每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的一組晶圓驗(yàn)收測(cè)試WAT因子值，及每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的一組WAT因子值對(duì)應(yīng)的由所述晶圓構(gòu)成的集成電路IC的至少一個(gè)IC良率；根據(jù)每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的一組WAT因子值對(duì)應(yīng)的由所述晶圓構(gòu)成的集成電路IC的至少一個(gè)IC良率，計(jì)算每個(gè)測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的IC良率；根據(jù)所述多個(gè)測(cè)試點(diǎn)中每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的一組WAT因子值，及每個(gè)測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的IC良率，確定表示W(wǎng)AT因子與IC良率的映射關(guān)系的數(shù)據(jù)模型；獲取所述數(shù)據(jù)模型中每個(gè)WAT因子對(duì)應(yīng)的系數(shù)；根據(jù)所述每個(gè)WAT因子對(duì)應(yīng)的系數(shù)，確定影響所述晶圓對(duì)應(yīng)的IC良率的WAT因子。