溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110027235.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102110717B 公開(kāi)（公告）日 2013-01-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN102110717B 申請(qǐng)公布日 2013-01-02
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新;朱懷宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 梁田
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)世紀(jì)城南路216號(hào)天府軟件園D區(qū)6號(hào)樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括N+襯底層、N-外延層、柵氧化層、硼磷硅玻璃層、金屬層、以及背面金屬層，N-外延層上端面設(shè)置有環(huán)狀的場(chǎng)氧化層，N-外延層設(shè)有溝槽，該溝槽內(nèi)填充有摻雜的多晶硅層，N-外延層包括源區(qū)層和設(shè)置在源區(qū)層下端面的P_body層；本發(fā)明還包括源電極接觸孔和柵電極接觸孔，源電極接觸孔和柵電極接觸孔均由金屬層填充，且源電極接觸孔端的金屬層和柵電極接觸孔端的金屬層通過(guò)一道開(kāi)口分隔開(kāi)。本發(fā)還公開(kāi)了上述溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法。采用上述結(jié)構(gòu)和制造方法，節(jié)約制造成本。