溝槽式金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110027235.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102110717B 公開（公告）日 2013-01-02
申請公布號 CN102110717B 申請公布日 2013-01-02
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新;朱懷宇 申請（專利權）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機構 成都行之專利代理事務所（普通合伙） 代理人 梁田
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)世紀城南路216號天府軟件園D區(qū)6號樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽式金屬氧化物半導體場效應晶體管，包括N+襯底層、N-外延層、柵氧化層、硼磷硅玻璃層、金屬層、以及背面金屬層，N-外延層上端面設置有環(huán)狀的場氧化層，N-外延層設有溝槽，該溝槽內(nèi)填充有摻雜的多晶硅層，N-外延層包括源區(qū)層和設置在源區(qū)層下端面的P_body層；本發(fā)明還包括源電極接觸孔和柵電極接觸孔，源電極接觸孔和柵電極接觸孔均由金屬層填充，且源電極接觸孔端的金屬層和柵電極接觸孔端的金屬層通過一道開口分隔開。本發(fā)還公開了上述溝槽式金屬氧化物半導體場效應晶體管的制造方法。采用上述結構和制造方法，節(jié)約制造成本。