可有效降低柵極電阻和柵極電容的柱柵金氧半場效晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310250184.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103346167A 公開（公告）日 2013-10-09
申請公布號 CN103346167A 申請公布日 2013-10-09
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新;朱懷宇 申請（專利權(quán)）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機構(gòu) 成都金英專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 袁英
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)世紀城南路216號天府軟件園D區(qū)6號樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種可有效降低柵極電阻和柵極電容的柱柵金氧半場效晶體管及其制造方法，包括襯底（20）及N外延層（21）；N外延層（21）中設(shè)有柱形溝槽，柱形溝槽內(nèi)部生長柵氧化層（26），柱形柵電極（25）通過柵氧化層（26）與N外延層（21）相互電隔離；體區(qū)（22）的上方設(shè)有源區(qū)（24），源區(qū)（24）之間設(shè)有歐姆接觸區(qū)（23），芯片表面設(shè)有淀積的隔離氧化層，隔離氧化層上與柱形柵電極（25）相對應(yīng)的位置刻蝕有柱形柵極接觸孔（28），與歐姆接觸區(qū)（23）相對應(yīng)的位置刻蝕有源極接觸孔（27）。本發(fā)明改變了現(xiàn)有MOSFET柵極的導(dǎo)電方式，減小了柵極電阻Rg和柵極電荷Qg；可以更快把輸入電容充滿電，更快的開啟MOSFET，從而提高開關(guān)速度。