一種功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320254969.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN203260588U 公開（公告）日 2013-10-30
申請公布號(hào) CN203260588U 申請公布日 2013-10-30
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新 申請（專利權(quán)）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都瑞芯電子有限公司
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)世紀(jì)城南路216號(hào)天府軟件園D區(qū)6號(hào)樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)，包括襯底和位于襯底上的外延層，包括如下全部特征：所述外延層上具有第一溝槽和第二溝槽；在溝槽內(nèi)有柵氧化層；所述第一溝槽內(nèi)部有多晶硅形成的柵電極；所述第二溝槽內(nèi)部有多晶硅形成的懸浮場板；在第一溝槽和第二溝槽之間以及第一溝槽靠芯片邊界一側(cè)具有體區(qū)；在第一溝槽靠芯片邊界一側(cè)的體區(qū)上面還有源區(qū)；在硅片表面還具備隔離氧化層，在隔離氧化層上有與源區(qū)形成良好歐姆接觸的源級(jí)接觸結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型以較小的占用面積提高了硅片終端部分的擊穿電壓，并降低了硅片終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)難度。