一種功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310173433.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103295911A 公開（公告）日 2013-09-11
申請公布號 CN103295911A 申請公布日 2013-09-11
分類號 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新 申請（專利權(quán)）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 梁田
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)世紀(jì)城南路216號天府軟件園D區(qū)6號樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)制造方法，包括：步驟101.在襯底上生長外延層；在外延層上刻蝕形成第一溝槽和第二溝槽；在溝槽內(nèi)生長柵氧化層；步驟102.在第一溝槽和第二溝槽淀積多晶硅，使多晶硅填充整個溝槽全部內(nèi)表面，在第一溝槽形成柵電極，在第二溝槽形成懸浮場板；步驟103.在第一溝槽和第二溝槽之間以及第一溝槽靠芯片邊界一側(cè)注入形成體區(qū)；隨后在第一溝槽靠芯片邊界一側(cè)的體區(qū)注入形成源區(qū)；步驟104.在硅片表面淀積隔離氧化層，并在隔離氧化層上構(gòu)造與源區(qū)形成良好歐姆接觸的源級接觸結(jié)構(gòu)。及利用上述方法得到的功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)。以較小的占用面積提高了硅片終端部分的擊穿電壓，并降低了硅片終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計難度。