一種具有溝槽源極場(chǎng)板的Trench MOSFET晶體管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210311691.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102856385A 公開(kāi)（公告）日 2013-01-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN102856385A 申請(qǐng)公布日 2013-01-02
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新;朱懷宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 譚新民
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)世紀(jì)城南路216號(hào)天府軟件園D區(qū)6號(hào)樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有溝槽源極場(chǎng)板的TrenchMOSFET晶體管及其制備方法，所述晶體管下往上依次包括漏極（213）、襯底（200）、漂移區(qū)（201）及源極（212）；漂移區(qū)（201）設(shè)有若干深溝槽（202），深溝槽（202）內(nèi)設(shè)有溝槽源極場(chǎng)板（204），溝槽源極場(chǎng)板（204）兩側(cè)的深溝槽（202）內(nèi)設(shè)有厚氧化層（203），溝槽源極場(chǎng)板（204）兩側(cè)的厚氧化層（203）上各設(shè)有一個(gè)柵極（206），柵極（206）與深溝槽（202）的內(nèi)壁之間設(shè)有柵極氧化層（205）。通過(guò)本發(fā)明，能增強(qiáng)晶體管的耐壓能力，同時(shí)獲得更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的損耗。