一種具有溝槽源極場板的Trench MOSFET晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210311691.8 申請日 -
公開（公告）號 CN102856385A 公開（公告）日 2013-01-02
申請公布號 CN102856385A 申請公布日 2013-01-02
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新;朱懷宇 申請（專利權(quán)）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 譚新民
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)世紀城南路216號天府軟件園D區(qū)6號樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有溝槽源極場板的TrenchMOSFET晶體管及其制備方法，所述晶體管下往上依次包括漏極（213）、襯底（200）、漂移區(qū)（201）及源極（212）；漂移區(qū)（201）設(shè)有若干深溝槽（202），深溝槽（202）內(nèi)設(shè)有溝槽源極場板（204），溝槽源極場板（204）兩側(cè)的深溝槽（202）內(nèi)設(shè)有厚氧化層（203），溝槽源極場板（204）兩側(cè)的厚氧化層（203）上各設(shè)有一個柵極（206），柵極（206）與深溝槽（202）的內(nèi)壁之間設(shè)有柵極氧化層（205）。通過本發(fā)明，能增強晶體管的耐壓能力，同時獲得更快的開關(guān)速度、更小的損耗。