可有效降低柵極電阻和柵極電容的柱柵金氧半場(chǎng)效晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201320360360.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN203553174U 公開（公告）日 2014-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN203553174U 申請(qǐng)公布日 2014-04-16
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新;朱懷宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都瑞芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都金英專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 袁英
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)世紀(jì)城南路216號(hào)天府軟件園D區(qū)6號(hào)樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種可有效降低柵極電阻和柵極電容的柱柵金氧半場(chǎng)效晶體管，包括襯底（20）及N外延層（21）；N外延層（21）中設(shè)有柱形溝槽，柱形溝槽內(nèi)部生長(zhǎng)柵氧化層（26），柱形柵電極（25）通過柵氧化層（26）與N外延層（21）相互電隔離；體區(qū)（22）的上方設(shè)有源區(qū)（24），源區(qū)（24）之間設(shè)有歐姆接觸區(qū)（23），芯片表面設(shè)有淀積的隔離氧化層，隔離氧化層上與柱形柵電極（25）相對(duì)應(yīng)的位置刻蝕有柱形柵極接觸孔（28），與歐姆接觸區(qū)（23）相對(duì)應(yīng)的位置刻蝕有源極接觸孔（27）。本實(shí)用新型改變了現(xiàn)有MOSFET柵極的導(dǎo)電方式，減小了柵極電阻Rg和柵極電荷Qg；可以更快把輸入電容充滿電，更快的開啟MOSFET，從而提高開關(guān)速度。