一種通過(guò)控制電沉積條件制備磁性金屬納米管的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910162075.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109778250B 公開（公告）日 2020-05-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN109778250B 申請(qǐng)公布日 2020-05-26
分類號(hào) C25D3/12;C25D3/20;C25D11/10;C25D11/12;C25D11/16;C23C28/00;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 毛正余;胡新躍;胡軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江交通科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 代理人 浙江交通科技股份有限公司;寧波浙鐵江寧化工有限公司
地址 324100 浙江省衢州市江山市景星東路38號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及納米材料領(lǐng)域，公開了一種通過(guò)控制電沉積條件制備磁性金屬納米管的方法，包括：（a）模板制備；（b）恒電位沉積納米管：（b?1）鹽橋的制備；（b?2）濺射導(dǎo)電層：在所述陽(yáng)極氧化鋁模板上濺射一層銅膜；（b?3）恒電位電沉積：在三電極體系中，以濺射銅膜的陽(yáng)極氧化鋁模板作為工作電極、鉑片為對(duì)電極、飽和甘汞電極為輔助電極；將輔助電極浸泡在飽和KCl溶液中，用鹽橋連接飽和KCl溶液和電解液；沉積條件為：pH2~3，沉積電勢(shì)為?1~?3V，沉積時(shí)間300s~600s。（c）釋放磁性金屬納米管：將步驟（b）所得的陽(yáng)極氧化鋁模板浸泡于后處理溶液中去除氧化鋁模板和銅膜。