一種新型低電容TVS結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021991152.X 申請日 -
公開（公告）號 CN212676278U 公開（公告）日 2021-03-09
申請公布號 CN212676278U 申請公布日 2021-03-09
分類號 H01L21/328(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王洋;施錦源 申請（專利權(quán)）人 深圳市鴻泰集成電路技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 馮建華;劉曰瑩
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道橋頭社區(qū)福海信息港A1棟406
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型適用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種新型低電容TVS結(jié)構(gòu)，該新型低電容TVS結(jié)構(gòu)包括高阻襯底，高阻襯底通過三重擴(kuò)散工藝形成第一摻雜層及位于第一摻雜層上方的高阻層，高阻層設(shè)有溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)將高阻層分為左通道、中間通道和右通道，中間通道形成第二摻雜層，右通道內(nèi)形成阱區(qū)，阱區(qū)內(nèi)、左通道和中間通道內(nèi)均形成第三摻雜層；采用三重擴(kuò)散工藝的方式形成高阻層，獲得超低電容TVS結(jié)構(gòu)，相對于外延技術(shù)獲得的高阻層，本實用新型的實現(xiàn)難度小且制作成本低，所形成的TVS結(jié)構(gòu)具有低電容和高浪涌的性能。??