一種新型低電容TVS結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010954549.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111933718A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111933718A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號(hào) | H01L29/861(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王洋;施錦源 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市鴻泰集成電路技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 | 代理人 | 深圳市鴻泰集成電路技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道橋頭社區(qū)福海信息港A1棟406 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明適用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種新型低電容TVS結(jié)構(gòu)及其制作方法，該新型低電容TVS結(jié)構(gòu)包括高阻襯底，高阻襯底通過(guò)三重?cái)U(kuò)散工藝形成第一摻雜層及位于第一摻雜層上方的高阻層，高阻層設(shè)有溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)將高阻層分為左通道、中間通道和右通道，中間通道形成第二摻雜層，右通道內(nèi)形成阱區(qū)，阱區(qū)內(nèi)、左通道和中間通道內(nèi)均形成第三摻雜層；采用三重?cái)U(kuò)散工藝的方式形成高阻層，獲得超低電容TVS結(jié)構(gòu)，相對(duì)于外延技術(shù)獲得的高阻層，本發(fā)明所述方法實(shí)現(xiàn)難度小且制作成本低，所形成的TVS結(jié)構(gòu)具有低電容和高浪涌的性能。?? |
