晶圓級扇出的多芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111669397.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114171469A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114171469A 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L23/31（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宗懌;羅富銘;郭良奎;潘波 申請（專利權(quán)）人 長電集成電路（紹興）有限公司
代理機構(gòu) 重慶中之信知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 梁欣
地址 312000浙江省紹興市臨江路500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓級扇出的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，以及分別位于所述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)下側(cè)和上側(cè)的封裝有芯片的第一包封層和第二包封層；所述第二包封層上設有外大內(nèi)小的多個開口，以及覆蓋所述開口且與所述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)中的導電金屬層電連接的UBM層；在所述UBM層上還設有覆蓋所述UBM層的凸起焊料結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開了一種晶圓級扇出的多芯片封裝結(jié)構(gòu)制備方法。本發(fā)明在包封層上開口并用UBM層覆蓋及焊料填充，大大簡化了現(xiàn)有技術(shù)中用于與外部電路連接的互連結(jié)構(gòu)的制程工藝，節(jié)省了成本。