晶圓級(jí)扇出的多芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111669397.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114171469A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114171469A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類(lèi)號(hào) H01L23/31（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宗懌;羅富銘;郭良奎;潘波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)電集成電路（紹興）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶中之信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 梁欣
地址 312000浙江省紹興市臨江路500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓級(jí)扇出的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)，以及分別位于所述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)下側(cè)和上側(cè)的封裝有芯片的第一包封層和第二包封層；所述第二包封層上設(shè)有外大內(nèi)小的多個(gè)開(kāi)口，以及覆蓋所述開(kāi)口且與所述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電金屬層電連接的UBM層；在所述UBM層上還設(shè)有覆蓋所述UBM層的凸起焊料結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開(kāi)了一種晶圓級(jí)扇出的多芯片封裝結(jié)構(gòu)制備方法。本發(fā)明在包封層上開(kāi)口并用UBM層覆蓋及焊料填充，大大簡(jiǎn)化了現(xiàn)有技術(shù)中用于與外部電路連接的互連結(jié)構(gòu)的制程工藝，節(jié)省了成本。