一種多芯片三維堆疊扇出型封裝結構及其封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110617981.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113192905A | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
申請公布號 | CN113192905A | 申請公布日 | 2021-07-30 |
分類號 | H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498;H01L21/50 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 胡正勛;梁新夫;郭洪巖;劉爽;潘波;邵婷婷 | 申請(專利權)人 | 長電集成電路(紹興)有限公司 |
代理機構 | 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 | 代理人 | 趙華 |
地址 | 312000 浙江省紹興市越城區(qū)臨江路500號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種多芯片三維堆疊扇出型封裝結構及其封裝方法,屬于芯片封裝技術領域。其自下而上依次包括再布線金屬層Ⅰ(10)、第一封裝體、再布線金屬層Ⅱ(40)和第二封裝體,所述第二封裝體設置在第一封裝體的上方,并第二封裝體與第一封裝體通過再布線金屬層Ⅰ(10)、再布線金屬層Ⅱ(40)進行信號連接。本發(fā)明彌補了已有封裝結構的不足,適用于超高密度多芯片互聯(lián),生產(chǎn)成本更低,更易實現(xiàn)生產(chǎn)。 |
