一種埋入式三維堆疊的晶圓級扇出封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111188437.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113809029A 公開（公告）日 2021-12-17
申請公布號 CN113809029A 申請公布日 2021-12-17
分類號 H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/768;H01L21/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宗懌;郭良奎;羅富銘;潘波 申請（專利權(quán)）人 長電集成電路（紹興）有限公司
代理機構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 代理人 趙華
地址 312000 浙江省紹興市越城區(qū)臨江路500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種埋入式三維堆疊的晶圓級扇出封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，屬于半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。其構(gòu)造了帶有TSV通孔的橋接芯片結(jié)構(gòu)，其從上而下分布的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：金屬柱Ⅰ(113)、金屬層Ⅰ(112)、金屬導(dǎo)電柱(109)、金屬層Ⅱ(117)、金屬柱Ⅱ(118)和柵極陣列焊球Ⅰ(119)，使得電信號能夠同時實現(xiàn)第一再布線金屬層(203)與第二再布線金屬層(209)的電性連接，利用第二再布線金屬層(209)、第一再布線金屬層(203)以及帶有TSV通孔的橋接芯片(122)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的TSV方法實現(xiàn)了芯片間的垂直互聯(lián)。本發(fā)明進一步減小了封裝體的厚度，同時，提供了更多的芯片間電信號垂直傳輸?shù)穆窂健?/td>