半導體器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圓級球柵陣列模塑激光封裝的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810430430.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108666214B 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN108666214B 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L21/311（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L23/538（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L25/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹勝煜;J.A.卡帕拉斯;林耀劍;P.C.馬里穆圖 申請（專利權）人 長電集成電路（紹興）有限公司
代理機構 中國專利代理（香港）有限公司 代理人 陳嵐
地址 浙江省紹興市越城區(qū)臨江路500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及半導體器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圓級球柵陣列模塑激光封裝的方法。一種半導體器件，具有半導體管芯，其具有沉積在半導體管芯之上和周圍的密封劑。在密封劑的第一表面之上形成互連結構。形成從密封劑的第二表面到密封劑的第一表面的開口以暴露互連結構的表面。凸塊形成為在開口內(nèi)凹進并被設置在互連結構的表面之上。提供一種半導體封裝。半導體封裝被設置在密封劑的第二表面之上并且被電連接到凸塊。在半導體封裝之上形成多個互連結構以將半導體封裝電連接到凸塊。半導體封裝包括存儲器件。半導體器件包括小于1毫米的高度。開口包括通過激光直接燒蝕形成的錐形側壁。